布局RRAM产业发展,兆易创新与Rambus签订专利授权协议

2020-05-12来源: 兆易创新关键字:兆易创新  Rambus

兆易创新宣布,与领先的半导体IP供应商Rambus Inc. 就RRAM (电阻式随机存取存储器) 技术签署专利授权协议。同时,兆易创新还与其同Rambus 以及几家战略投资伙伴的合资企业——合肥睿科微(Reliance Memory)签署了授权协议 。根据协议内容,兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用,这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM 领域的前瞻性技术布局,从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。

 

RRAM作为一种非易失性随机存储方式,能够在改变电压的前提下,通过改变电介质的电阻进行存储。RRAM拥有独特物理与器件特性,可在工艺后端线(BEOL)以列阵结构制造,其列阵结构的低电压特性能够有效降低MCU产品中嵌入式非易失性存储解决方案的功耗,非常适合物联网应用; 此外,根据学术界与行业发表的相关文献,在平衡性能、可靠性及成本的方面,RRAM有可能成为在DRAM和Flash之间一种可行的存储级内存(SCM)。 

 

兆易创新是一家扎根中国,服务全球的国际化公司,兆易创新一直密切关注存储领域的技术创新,积极进行战略布局,开拓具有差异化的细分市场。早在2018年5月,兆易创新就携手Rambus以及其他全球知名半导体投资机构创办了以RRAM技术为核心业务的合资公司合肥睿科微。

 

兆易创新董事长朱一明先生表示:

 

兆易创新一直以创新为己任,多年来致力新技术革新,强化产品竞争力,重视核心专利, 此次获得Rambus和睿科微针对RRAM技术的授权,有助于我们为客户提供更具创新特色的存储解决方案。

 

Rambus技术合作和企业发展高级副总裁Kit Rodgers表示:

 

兆易创新在全球闪存领域已取得显著的成绩,我们很高兴能够将RRAM专利方案授权给兆易创新,此次授权能够帮助其在存储器领域开发创新型的解决方案,并加速其商用的进程。

关键字:兆易创新  Rambus 编辑:muyan 引用地址:http://news.nvwayi.com/qrs/ic496733.html 本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

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